RU 2199173 C1, 20.02.2003. RU 2157581 C1, 10.10.2000. US 4410893 A, 18.10.1983. US 4575728 А, 11.03.1983. ЕР 0285743 А2, 12.10.1988.
Имя заявителя:
Министерство обороны Российской Федерации Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ВОЕННАЯ АКАДЕМИЯ СВЯЗИ имени С.М. Буденного (RU)
Изобретатели:
Канаев Константин Александрович (RU) Попов Олег Вениаминович (RU) Рожков Александр Георгиевич (RU) Смирнов Павел Леонидович (RU) Соломатин Александр Александрович (RU) Царик Игорь Владимирович (RU) Шепилов Александр Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Министерство обороны Российской Федерации Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ВОЕННАЯ АКАДЕМИЯ СВЯЗИ имени С.М. Буденного (RU)
Реферат
Изобретение относится к широкополосным антеннам СВЧ-диапазона. Техническим результатом является увеличение относительной полосы пропускания, обеспечивающей повышение коэффициента усиления. Антенна содержит N каскадно соединенных отрезков микрополосковых линий из полоска и экрана, размещенных соосно на прямоугольной диэлектрической подложке вдоль ее продольной оси симметрии с обеих сторон, электрическая длина l которых равна половине длины волны в середине заданной полосы рабочих частот l=ср/2, а также два шунта, два дополнительных экрана (ДЭ), коаксиальный кабель с соответствующими связями и металлический рупор в форме усеченного под углом прямого цилиндра с прямоугольным сечением, контур которого совпадает с контуром диэлектрической подложки (ДП). ДП устанавливается внутри рупора параллельно его задней стенке на расстоянии (0,4-0,6)cp. Первый и второй ДЭ электрически соединены с малыми узкими боковыми стенками рупора. Напротив первого ДЭ на другой стороне ДП между первым полоском и малой узкой боковой стенкой рупора размещен шлейф, состоящий из исходящих из одной точки трех полосков, которые связаны с экранами. Оговорены условия выбора ширины каждого из элементов N отрезков микрополосковых линий и соответствующих n-ных экранов, а также условия выбора ширины первого и второго ДЭ. 8 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента