|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МНОГОСЛОЙНАЯ ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ НАНОСТРУКТУРА |  |
Номер публикации патента: 2334306 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L043/10 | | Аналоги изобретения: | RU 2294026 C1, 20.02.2007. SU 1807534 A1, 07.04.1993. RU 2139602 C1, 10.10.1999. RU 2236066 C1, 10.09.2004. |
| Имя заявителя: | Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН (RU) | | Изобретатели: | Касаткин Сергей Иванович (RU)
Муравьев Андрей Михайлович (RU)
Пудонин Федор Алексеевич (RU) | | Патентообладатели: | Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным (МР) эффектом. В многослойной тонкопленочной магниторезистивной наноструктуре, содержащей первый защитный слой, на котором расположена первая и вторая магнитомягкие пленки, поверх которой размещен второй защитный слой, между первой и второй магнитомягкими
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента