RU 2275714 C1, 27.06.2006. RU 2258275 C1, 10.08.2005. US 6344659 B1, 05.02.2002. US 6995390 B2, 07.02.2006. US 6541789 B1, 01.04.2003.
Имя заявителя:
Научно-учебное учреждение Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова (RU)
Изобретатели:
Карминская Татьяна Юрьевна (RU) Куприянов Михаил Юрьевич (RU) Рязанов Валерий Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Научно-учебное учреждение Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова (RU)
Реферат
Изобретение относится к криоэлектронным приборам и может быть использовано в измерительной технике, радиотехнических и информационных системах, работающих при низких температурах. Сущность изобретения: в сверхпроводящем приборе с джозефсоновским переходом, включающем область слабой связи в виде тонкопленочной слоистой структуры ферромагнитный материал - нормальный металл - ферромагнитный материал, образованной на подложке, электроды из сверхпроводника, присоединенные к противолежащим боковым граням упомянутой слоистой структуры, слои ферромагнитного материала выполнены с возможностью разворота векторов намагниченности друг относительно друга в плоскости слоистой структуры из антиферромагнитного в ферромагнитное состояние с обеспечением генерации триплетного типа сверхпроводящего спаривания в области слабой связи. Изобретение направлено на обеспечение эффективного управления критическим током джозефсоновских переходов посредством внешнего магнитного поля за счет организации ряда независимых каналов его протекания, а также вследствие обеспечения условий для генерации слабозатухающего в области слабой связи триплетного типа сверхпроводящего спаривания. 8 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента