RU 2298260 С1, 27.04.2007. RU 2308123 C1, 10.10.2007. RU 2080693 C1, 27.05.1997. US 4178602 A, 11.12.1979. US 5565415 A, 15.10.1996. JP 3228385 A, 09.10.1991.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Марийский государственный технический университет (RU)
Изобретатели:
Игумнов Владимир Николаевич (RU) Большаков Александр Павлович (RU) Филимонов Виталий Евгеньевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Марийский государственный технический университет (RU)
Реферат
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для создания логических схем. Техническим результатом изобретения является упрощение конструкции и способа изготовления криотрона. Указанный технический результат достигается тем, что функции экрана и управляющей шины совмещаются и выполняются нижней сверхпроводниковой дорожкой, нанесенной на поверхность подложки, частично изолированной от верхней дорожки с джозефсоновским контактом, и гальванически соединенной с ней. Технический результат достигается также тем, что состояния криотрона определяются его параметрами и протекающим током. 2 н.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента