|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СВЕРХПРОВОДЯЩАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ НАНОСТРУКТУРА С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ |  |
Номер публикации патента: 2227346 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L039/22 | | Аналоги изобретения: | US 5016064, 14.05.1991.US 5012302, 30.04.1991.US 5061970, 29.10.1991.US 5142341, 25.08.1991.US 5508829, 16.04.1996.JP 2246286, 02.10.1990.US 4933728, 12.06.1990.SU 1575858, 20.09.1995. |
| Имя заявителя: | Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина | | Изобретатели: | Кадушкин В.И. | | Патентообладатели: | Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина |
Реферат | |
Изобретение относится к физике полупроводников, в частности к полупроводниковым эпитаксиальным наноструктурам с квантовыми ямами, и может быть использовано при реализации полупроводниковых приборов, работа которых основана на эффекте сверхпроводимости. Использование изобретения позволяет повысить температуру перехода полупроводниковой наноструктуры с квантовыми ямами в сверхпроводящее состояние.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента