На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КВАНТОВОГО ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОГО ЭЛЕМЕНТА

Номер публикации патента: 2111579

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  96117820		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к области твердотельных электронных приборов на основе квантовых эффектов. Сущность изобретения: в образце материала полупроводника, в котором длина волны де Бройля превышает постоянную решетки, в приповерхностном объеме, задают ход электростатического потенциала, чем формируют квантовую проволоку, длину которой выбирают превышающей длину свободного пробега электрона, формируют туннельно прозрачные электрические контакты к квантовой проволоке на расстоянии, не превышающем длины свободного пробега электрона, и прикладывают квантующие скрещенные электрические поля для формирования интерференционного элемента на длине отрезка квантовой проволоки между туннельно прозрачными контактами. Амплитуду электрического поля выбирают исходя из числа возбуждаемых мод в квантовой проволоке, определяют коэффициент модуляции тока интерференционного элемента и устанавливают длину интерференционного элемента, которая соответствует достижению максимального значения коэффициента модуляции тока. В качестве полупроводника используют узкощелевой полупроводник, например, кадмий-ртуть-теллур, с приповерхностным объемом из пленки этого полупроводника, эпитаксиально нанесенной на пленку теллурида кадмия. 7 з.п. ф-лы, 7 ил., 3 табл.

Вернуться к списку