К.А.Pettigrew, Q.Liu, P.P.Power, S.M.Kauzlarich, Solution Synthesis of Alkyi- and Alkil/Alkoxy-Capped Silicon Nanoparticles via Oxidation of Mg2Si // Chem. Mater: 2003, v.15, pp.4005-4011. WO 0114250 A2, 01.03.2001. CN 101245447 A, 20.08.2008. RU 2359906 C2, 27.06.2009. RU 2364983 C1, 20.08.2009.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московская государственная академия тонкой химической технологии имени М.В. Ломоносова" (RU)
Изобретатели:
Ищенко Анатолий Александрович (RU) Дорофеев Сергей Геннадиевич (RU) Кононов Николай Николаевич (RU) Ольхов Анатолий Александрович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московская государственная академия тонкой химической технологии имени М.В. Ломоносова" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области нанотехнологий и наноматериалов. Разработан способ получения нанокристаллического кремния, обладающего яркой устойчивой фотолюминесценцией в видимой области спектра в массовых количествах, что открывает возможности применения этого материала в медицине и биологии для флуоресцентной диагностики, фотодинамической и фототермической терапии, фотохимической стерилизации запасов крови, а также в экологии для очистки воды от органических загрязнений и патологической микрофлоры. Способ получения нанокристаллического кремния согласно изобретению включает реакцию спекания при температуре ~800 К тонкоизмельченного силицида магния и аэросила с последующим растворением и вымыванием оксида магния в подкисленном водном растворе, с последующей очисткой нанокристаллического кремния осаждением этанолом и растворением в трихлорметане. Изобретение обеспечивает получение нанокристаллического кремния, обладающего устойчивой яркой люминесценцией, максимум интенсивности которой возможно сдвигать в области от 750 нм до 550 нм, а также позволяет получать частицы нанокристаллического кремния, сохраняющие люминесцентные свойства при высоких, до ~650 К, температурах в массовых количествах без использования дорогих и легковоспламеняющихся веществ. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента