RU 2306634 C1, 20.09.2007. US 5874749 A, 23.02.1999. ЕР 1478066 А1, 17.11.2004. US 2006186432 A1, 24.08.2006. US 2007029560 A1, 08.02.2007.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" (RU)
Изобретатели:
Вихрова Ольга Викторовна (RU) Данилов Юрий Александрович (RU) Дорохин Михаил Владимирович (RU) Зайцев Сергей Владимирович (RU) Звонков Борис Николаевич (RU) Кулаковский Владимир Дмитриевич (RU) Прокофьева Марина Михайловна (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" (RU)
Реферат
Изобретение относится к светоизлучающим диодам, которые используются в оптической связи, в оптических компьютерах и т.п. Диод содержит гетероструктуру, включающую подложку, излучающий слой, сильнолегированный атомами переходных элементов группы железа Периодической системы полупроводниковый слой с ферромагнитными свойствами, нелегированный полупроводниковый слой и базовый и инжектирующий электроды. Слой с ферромагнитными свойствами расположен над излучающим слоем, а нелегированный полупроводниковый слой расположен между слоем с ферромагнитными свойствами и инжектирующим электродом. Диод может содержать также дополнительные слои, улучшающие параметры диода и не блокирующие эффект спиновой поляризации носителей в такой гетероструктуре. Преимущества диода согласно изобретению заключаются в повышении интенсивности и степени круговой поляризации излучения, формируемого диодом. 8 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента