На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРИЕМНОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР GaAs/AlGaAs

Номер публикации патента: 94021123

Вид документа:  A1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  94021123

Реферат

Способ изготовления фотоприемного элемента на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs относится к полупроводниковой технике и может быть использован при изготовлении одиночных и многоэлементных фотоприемных устройств. Способ заключается в нанесении на подложку из полуизолирующего арсенида галлия последовательности слоев: проводящего n⁺GaAs слоя, многослойной периодической структуры GaAs/ AlGaAs и второго проводящего n⁺GaAs слоя, с последующим травлением верхнего проводящего n⁺GaAs слоя и многослойной гетероструктуры в водном растворе перекиси водорода, и отличается тем, что между ближайшим к подложке проводящим n⁺GaAs слоем и многослойной периодической структурой наносят туннельно-тонкий стоп-слой AlAs толщиной 2-5 нм, а травление ведут при температуре 20-22°С в растворе, дополнительно содержащем органическую кислоту. В качестве органической кислоты используют винную кислоту при следующих соотношениях компонентов, мас.%: винная кислота 35-45; перекись водорода 5-10; вода остальное, или молочную кислоту при следующих соотношениях компонентов, мас.%: молочная кислота 25-35; перекись водорода 5-10; вода остальное. Способ позволяет увеличить точность и прецизионность травления при изготовлении фотоприемных элементов, увеличить выход годных изделий и удешевить стоимость фотоприемных элементов.

Вернуться к списку