US 5330585 A, 19.07.1994. RU 2244986 C1, 20.01.2005. RU 2065644 C1, 20.08.1996. WO 2010088370 A1, 05.08.2010. US 2005016584 A, 27.01.2005.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Ильинская Наталья Дмитриевна (RU) Калюжный Николай Александрович (RU) Лантратов Владимир Михайлович (RU) Малевская Александра Вячеславовна (RU) Минтаиров Сергей Александрович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу получения чипов солнечных фотоэлементов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ получения чипов концентраторных солнечных фотоэлементов включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последовательное нанесение на поверхность фоточувствительной многослойной структуры пассивирующего слоя и контактного слоя, локальное удаление контактного слоя для открытия части нижележащего пассивирующего слоя и формирования полосок контактного слоя. Далее создают многослойное просветляющее покрытие на открытой части пассивирующего слоя и формируют омические контакты на поверхности полосок контактного слоя и на тыльной поверхности фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры. Проводят последующее утолщение основы омических контактов электрохимическим осаждением слоя контактного материала, разделение многослойной структуры на чипы и пассивацию боковой поверхности чипов диэлектриком. Утолщение основы омических контактов на поверхности полосок контактного слоя осуществляют через маску, изготовленную методом аммиачного переворачивания позитивного фоторезиста. Полоски маски в поперечном сечении имеют вид трапеции, прилегающей меньшим основанием к фронтальной поверхности фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры. Боковые поверхности полученных полосок омических контактов выполняют зеркальными. Способ позволяет изготавливать чипы концентраторных солнечных фотоэлементов с низкой степенью затенения фоточувствительной поверхности солнечных фотоэлементов, с низким омическим сопротивлением полосок омических контактов. 3 з.п. ф-лы, 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента