Reine M.B., Sood A.K. and Tredwell T.J. // Semiconductors and semimetals. New York: Academic Press, 1981. Vol.18, p.207-213, 232, 233. SU 1187577 A3, 30.01.1994. RU 2022411 C1, 30.10.1994. RU 2340981 C1, 10.12.2008. US 2002187581 A1, 12.12.2002. US 20100038678 A1, 18.02.2010.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Изобретатели:
Селяков Андрей Юрьевич (RU) Бурлаков Игорь Дмитриевич (RU) Пономаренко Владимир Павлович (RU) Филачев Анатолий Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Реферат
Изобретение относится к фотоэлектронике и может использоваться в пороговых фотоприемных устройствах для регистрации коротких импульсов электромагнитного излучения оптического и инфракрасного (ИК) диапазона. Способ снижения спектральной плотности флуктуации диффузионного тока фотодиода в области высоких частот заключается в том, что на р-n переход с короткой базой и блокирующим контактом к базе подают обратное смещение V, удовлетворяющее условиям 3kTb,t и 3kTb,a, где k - постоянная Больцмана; Т - температура; q - заряд электрона; Vb,t - напряжение туннельного пробоя; Vb,а - напряжение лавинного пробоя. Способ согласно изобретению позволяет увеличить отношение сигнал/шум фотодиода в области высоких частот за счет снижения спектральной плотности флуктуации диффузионного тока. 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента