RU 75505 U1, 10.08.2008. RU 2310949 C1, 20.11.2007. RU 2244366 C1, 10.01.2005. US H894 A, 05.03.1991. US 4689650 A, 25.08.1987. US 5581117 A, 03.12.1996. US 5608208 A, 04.03.1997. US 5998235 A, 07.12.1999. US 6208005 A, 27.03.2001.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет" (ТГУ) (RU), Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Изобретатели:
Войцеховский Александр Васильевич (RU) Несмелов Сергей Николаевич (RU) Дзядух Станислав Михайлович (RU) Сидоров Юрий Георгиевич (RU) Дворецкий Сергей Алексеевич (RU) Михайлов Николай Николаевич (RU) Варавин Василий Семенович (RU) Якушев Максим Витальевич (RU) Васильев Владимир Васильевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет" (ТГУ) (RU) Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительную к инфракрасному излучению структуру, содержащую подложку, верхний слой которой образован из CdTe, рабочий детекторный слой толщиной около 10 мкм, изготовленный из Hg1-xCdxTe, где х=xд=0,2-0,3, изолирующий слой толщиной 0,1-0,2 мкм, изготовленный из CdTe, и верхний проводящий слой толщиной порядка 0,5 мкм, дополнительно введены расположенный между подложкой и детекторным слоем нижний варизонный слой толщиной 0,5-6,0 мкм, изготовленный из Hg1-xCdxTe, в котором значение х плавно уменьшается от значения, находящегося в пределах 1-(xд+0,1), до значения xд, расположенный между рабочим детекторным слоем и изолирующим слоем верхний варизонный слой толщиной 0,03-1,00 мкм, изготовленный из Hg1-xCdxTe, в котором значение x плавно увеличивается от значения хд до значения, находящегося в пределах 1-(хд+0,1), и диэлектрические слои, расположенные между изолирующим слоем и верхним проводящим слоем. Также предложен способ изготовления предлагаемой структуры. Изобретение обеспечивает возможность создания высокостабильной фоточувствительной к ИК-излучению структуры с расширенными функциональными возможностями. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента