US 7071407 B2, 04.07.2006. US 2005199281 A1, 15.09.2005. US 2005110041 A1, 26.05.2005. US 6660928 B1, 09.12.2003. US 2003140962 A1, 31.07.2003. US 6380601 B1, 30.04.2002. US 5863497 A, 29.12.1998. US 5405453 A, 11.04.1995. RU 2292610 С1, 27.01.2007. RU 2244986 C1, 20.01.2005.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Ильинская Наталья Дмитриевна (RU) Калюжный Николай Александрович (RU) Лантратов Владимир Михайлович (RU) Малевская Александра Вячеславовна (RU) Минтаиров Сергей Александрович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Способ изготовления солнечных элементов заключается в создании верхнего солнечного элемента на основе многослойной полупроводниковой пластины GaInP/Ga(In)As/Ge, частичного локального травления германиевой подложки с тыльной стороны, под светочувствительной областью полупроводниковой пластины, или полного стравливания германиевой подложки верхнего солнечного элемента и механической стыковки с нижним солнечным элементом на основе полупроводниковой пластины InAs или GaSb/GaAlSb. Частичное локальное травление германиевой подложки проводят через маску фоторезиста методом электрохимического травления. Изобретение обеспечивает увеличение КПД солнечных элементов за счет более эффективного преобразования солнечного спектра и уменьшения оптических потерь при прохождении инфракрасного излучения через подложку верхнего солнечного элемента 2 н. и 16 з.п.ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента