RU 2292610 C1, 27.01.2007. RU 2244986 C1, 20.01.2005. US 2004/040593 A1, 04.03.2004. US 5863497 A, 29.12.1998. US 5716459 A, 10.02.1998. US 5330585 A, 19.07.1994.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Ильинская Наталья Дмитриевна (RU) Калюжный Николай Александрович (RU) Лантратов Владимир Михайлович (RU) Малевская Александра Вячеславовна (RU) Минтаиров Сергей Александрович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Способ изготовления чипов фотоэлектрических преобразователей заключается в нанесении сплошного металлического омического контакта на тыльную поверхность структуры и локального металлического омического контакта на фронтальную поверхность многослойной полупроводниковой пластины со структурой n-Ge подложка, p-Al0,5GaAs и p-Al0,8GaAs эмиттер, p+-GaAs контактный слой, разделении структуры на чипы, пассивации боковой поверхности чипов диэлектриком, удалении части фронтального контактного слоя структуры и нанесении антиотражающего покрытия на светочувствительную область фронтальной поверхности структуры. Разделение структуры на чипы проводят через маску фоторезиста со стороны фронтальной поверхности структуры на глубину 15-50 мкм методом электрохимического травления в одном технологическом процессе с использованием одного электролита для травления полупроводниковой структуры и германиевой подложки. Изобретение обеспечивает улучшение параметров фотопреобразователя за счет создания ровной вертикальной стенки разделительной мезы, посредством травления структуры и германиевой подложки в одном технологическом цикле с использованием одного электролита на основе раствора глицерина и щелочи, и последующего проведения процесса пассивации боковой поверхности чипов. 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента