RU 2292610 C1, 27.01.2007. RU 2244986 C1, 20.01.2005. US 2005227464 A1, 13.10.2005. EP 1475844 A2, 10.11.2004. WO 0059045, 05.10.2000. US 5405453 A, 11.04.1995. US 4415370 A, 15.11.1983.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Хвостиков Владимир Петрович (RU) Хвостикова Ольга Анатольевна (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
При изготовлении фотоэлектрического элемента на основе германия наносят на лицевую поверхность подложки из монокристаллического германия n-типа диэлектрическую пленку. Создают химическим травлением окна в диэлектрической пленке, соответствующие топологии p-n перехода. Легируют диффузией цинка из газовой фазы в квазизамкнутом контейнере в окна поверхностный слой германия. Удаляют на тыльной стороне подложки p-n переход. Осаждают тыльный и лицевой контакты и отжигают их. Разделяют структуру травлением на отдельные фотоэлементы и наносят антиотражающее покрытие. Изобретение обеспечивает упрощение технологии и увеличение производительности процесса формирования германиевых фотоэлементов с высоким значением фототока. 9 з.п. ф-лы, 3 ил.