RU 2292610 C1, 27.01.2007. RU 2244986 C1, 20.01.2005. US 2005227464 A1, 13.10.2005. EP 1475844 A2, 10.11.2004. WO 0059045, 05.10.2000. US 5405453 A, 11.04.1995. US 4415370 A, 15.11.1983.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Хвостиков Владимир Петрович (RU) Хвостикова Ольга Анатольевна (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
При изготовлении фотопреобразователя на подложке германия n-типа выращивают пассивирующий слой GaAs методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии при быстром охлаждении раствора-расплава. Наносят на лицевую поверхность подложки диэлектрическую пленку. Создают химическим травлением окна в диэлектрической пленке, соответствующие топологии р-n перехода. Легируют диффузией цинка из газовой фазы в квазизамкнутом контейнере слой GaAs и поверхностный слой Ge. Удаляют на тыльной стороне подложки р-n переход. Осаждают тыльный и лицевой контакты и отжигают их. Разделяют структуру травлением на отдельные фотоэлементы и наносят антиотражающее покрытие. Изобретение обеспечивает формирование германиевых фотопреобразователей с высокими значениями фототока и напряжения холостого хода простым, безопасным и дешевым методом. 12 з.п., 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента