RU 2244366 C1, 10.01.2005. RU 75505 U1, 10.08.2009. US 6208005 B1, 27.03.2001. US 5959299 A, 28.09.1999. US 5880510 A, 09.03.1999.
Имя заявителя:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU)
Изобретатели:
Варавин Василий Семенович (RU) Предеин Александр Владиленович (RU) Ремесник Владимир Григорьевич (RU) Сабинина Ирина Викторовна (RU) Сидоров Георгий Юрьевич (RU) Сидоров Юрий Георгиевич (RU)
Патентообладатели:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU)
Реферат
Способ изготовления фоточувствительной структуры заключается в том, что подложку с рабочей областью заданного типа проводимости подвергают анодированию в электролите с формированием слоя анодированного материала рабочей области на ее поверхности, далее приступают к созданию в составе рабочей области областей другого типа проводимости относительно заданного, формируя фотодиоды. Согласно изобретению после формирования слоя анодированного материала рабочей области на ее поверхности проводят термическую обработку при условиях, обеспечивающих одновременно уменьшение встроенного заряда в слое анодированного материала и устранение избыточной ртути из него, или изначально выбирают подложку с рабочей областью, тип проводимости которой противоположен заданному. После формирования слоя анодированного материала рабочей области на ее поверхности проводят термическую обработку при условиях, обеспечивающих одновременно уменьшение встроенного заряда в слое анодированного материала и устранение избыточной ртути из него, и также одновременно при этом изменяют тип проводимости рабочей области на заданный тип проводимости. За счет уменьшения встроенного заряда в слое анодного окисла и устранения избыточной ртути из него при термической обработке достигают расширения температурного диапазона в сторону повышения температур, используемых при технологических операциях, повышения термической стабильности структур, а также повышения качества электрической пассивации поверхности рабочей области. 12 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента