RU 2265915 C1, 10.12.2005. RU 2127471 C1, 10.03.1999. RU 2127009 C1, 27.02.1999. SU 434872 A, 24.12.1976. US 2006118900 A1, 06.04.1976.
Имя заявителя:
Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) (RU)
Изобретатели:
Арбузов Юрий Дмитриевич (RU) Евдокимов Владимир Михайлович (RU) Стребков Дмитрий Семенович (RU) Шеповалова Ольга Вячеславовна (RU)
Патентообладатели:
Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) (RU)
Реферат
Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора включает формирование многослойной структуры методом эпитаксиального выращивания слоев на полупроводниковой подложке, формирование металлизации, нанесение просветляющего покрытия, присоединение токоотводов. Между p+-n(n+) слоям выращивают тонкие сильнолегированные слои p+ типа толщиной менее 1 мкм с концентрацией активной примеси более 1018 см-3. Формируют шунтирующие туннельные p+-n(n+) переходы и обеспечивают последовательную коммутацию. Выполняют металлизацию на верхнем эпитаксиальном слое и формируют контакт в виде сплошного слоя металла. Заготовки разрезают на матрицы, а просветляющее покрытие наносят на торцевые поверхности, на которые поступает рабочее освещение. В другом варианте способа толщина слоев p+-n(n+) типа менее 12 мкм, при этом просветляющее покрытие наносят на верхний эпитаксиальный слой, а металлизацией на указанном эпитаксиальном слое формируют контакт в виде контактной сетки, при этом рабочее освещение поступает на указанный верхний эпитаксиальный слой. Изобретение обеспечивает повышение воспроизводимости высоких выходных характеристик при массовом производстве. 2 н.п. ф-лы, 2 табл., 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента