На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ МНОГОСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЫ | |
Номер публикации патента: 2354009 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L031/18 | Аналоги изобретения: | RU 2292610 C1, 27.01.2007. RU 2244986 C1, 20.01.2005. RU 22219621 C1, 20.12.2003. US 2005/227464 A1, 13.10.2005. US 2005/187912 A1, 30.09.2004. |
Имя заявителя: | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU) | Изобретатели: | Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Ильинская Наталья Дмитриевна (RU) Калюжный Николай Александрович (RU) Лантратов Владимир Михайлович (RU) Малевская Александра Вячеславовна (RU) Минтаиров Сергей Александрович (RU) | Патентообладатели: | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU) |
Реферат | |
Способ заключается в нанесении омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности многослойной полупроводниковой структуры GalnP/Ga(ln)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделении структуры на чипы, пассивации боковой поверхности чипов диэлектриком, удалении части фронтального контактного слоя структуры и нанесении антиотражающего покрытия на фронтальную поверхность структуры.
|