Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ФОТОРЕЗИСТОР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ CdHgTe (ВАРИАНТЫ)

Номер публикации патента: 2244366

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2003135571/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/09    
Аналоги изобретения: SU 1890906 A1, 30.08.1989. SU 1823722 A1, 20.02.1996. RU 2080691 C1, 27.05.1997. RU 11928 U1, 16.11.1999. US 4764261 А, 16.08.1988. ЕР 0662721 А1, 12.07.1995. 

Имя заявителя: Федеральное государственное унитарное предприятие "Альфа" (RU) 
Изобретатели: Гусаров А.В. (RU)
Ларцев И.Ю. (RU)
Смолин О.В. (RU)
Сусов Е.В. (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное унитарное предприятие "Альфа" (RU) 

Реферат


Использование: для регистрации и измерения светового излучения. Фоторезистор на основе гетероэпитаксиальной структуры CdHgTe содержит диэлектрическую подложку, на которой закреплена, по крайней мере, одна подложка чувствительного элемента, выполненная из CdZnTe или GaAs, или Si, с размещенным на ней чувствительным элементом, выполненным в виде гетероэпитаксиальной структуры, состоящей из нижнего варизонного слоя CdxHg1-xTe, где х изменяется в интервале от 0,8±0,05 до 0,3±0,05 в направле


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"