|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОННОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ |  |
Номер публикации патента: 2240632 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L031/18 | | Аналоги изобретения: | MCLEAN C.J. et all. Quantum well intermixing with high spatial selectivity using a pulsed laser technique. Electronics Letters, IEE STEVANAGE, GB, v.31, № 15, 1995, р.1285-1286. OOI B.S. at all. Integration process for photonic integrated circuits using plasma damage induced layer intermixing. Electronics Letters, v.31, 1995, 449. WO 96/27226 А1, 06.09.1996. US 5843802 А, 01.12.1998. US 5384797 А, 24.01.1995. RU 2109381 С1, 20.04.1998. |
| Имя заявителя: | Эн Ти Ю ВЕНЧЕРЗ ПТЕ ЛТД. (SG) | | Изобретатели: | ООИ Боон Сию (MY)
ЛАМ Йее Лой (SG)
ЧАН Йуен Чуен (SG)
ЗОУ Йан (SG)
НГ Геок Инг (SG) | | Патентообладатели: | Эн Ти Ю ВЕНЧЕРЗ ПТЕ ЛТД. (SG) |
Реферат | |
Использование: при изготовлении интегральных схем. Сущность изобретения: согласно способу изготовления фотонной интегральной схемы, содержащей сложную полупроводниковую структуру, имеющую область квантовой ямы, структуру облучают с использованием источника фотонов для порождения дефектов, причем энергия (Е) фотонов не меньше энергии (Ес) смешения, по меньшей мере, одного элемента сложного полупроводника.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента