|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОННОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ |  |
Номер публикации патента: 2239258 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L031/18 | | Аналоги изобретения: | WO 96/27226 А1, 06.09.1996. EP 0731387 А2, 11.09.1996. B.S. OOI at all. Integration process for photonic integrated circuits using plasma damage induced layer intermixing. Electronics Letters, v.31, 1995, 449. US 5843802 А, 01.12.1998. US 5384797 А, 24.01.1995. RU 2109381 С1, 20.04.1998. |
| Имя заявителя: | Эн Ти Ю ВЕНЧЕРЗ ПТЕ ЛТД. (SG) | | Изобретатели: | ООИ Боон Сию (MY)
ЛАМ Йее Лой (SG)
ЧАН Йуен Чуен (SG)
ЗОУ Йан (SG)
ТАМ Сиу Чунг (SG) | | Патентообладатели: | Эн Ти Ю ВЕНЧЕРЗ ПТЕ ЛТД. (SG) |
Реферат | |
Использование: фотонные интегральные схемы. Сущность изобретения: способ изготовления фотонной интегральной схемы, содержащей структуру, имеющую область квантовой ямы, включает этап смешения квантовых ям в упомянутой структуре, причем этап смешения квантовых ям содержит этапы, на которых формируют фоторезист на структуре, за единственное экспонирование различным образом экспонируют участки фоторезиста в зависимости от пропускания полутоновой маски, причем пропускание упомянутой маски пространстве
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента