На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ СВЕТА В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ЭНЕРГИЮ | |
Номер публикации патента: 2170994 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L031/18 | Аналоги изобретения: | RU 2071148 C1, 27.12.1996. RU 2006995 C1, 30.01.1994. RU 2034372 C1, 30.04.1995. RU 2129744 C1, 27.04.1999. US 4772335, 20.09.1988. US 4650921, 17.03.1987. US 3844843, 29.10.1974. |
Имя заявителя: | Вологодский государственный технический университет | Изобретатели: | Федоров М.И. Смирнова М.Н. Карелин С.В. | Патентообладатели: | Вологодский государственный технический университет |
Реферат | |
Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к устройствам, преобразующим лучистую энергию в электрическую, и может быть использовано в полупроводниковой электронике, в частности оптоэлектронике, и в медицинских технологиях при облучении УФ в физиокабинетах, на предприятиях АПК при облучении животных, в экологии при измерении низких интенсивностей излучения от экранов телевизоров и мониторов компьютеров. Технический результат изобретения заключается в повышении чувствительности по фото-ЭДС. Сущность изобретения: на подложку из неорганического полупроводника арсенида галлия (GaAs), сильно легированного донорной примесью, наносится вакуумным напылением тонкий слой органического полупроводника n-типа хлориндийфталоцианина (ClInPc), обладающего высоким коэффициентом поглощения в УФ-области. Изготовление твердотельного фотогальванического элемента предлагаемым способом позволяет повысить фоточувствительность до 10-4 Вт/м2. 1 табл., 2 ил.
|