|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ И ВЫСОКОПРОВОДЯЩИХ СЛОЕВ ZNO : GA |  |
Номер публикации патента: 2095888 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L031/18 H01L031/04 | | Аналоги изобретения: | T. Minami at al. Highlu conductive and transparent aluminium doped zinc oxide thin films prepared by RF magnetron sputtering. - I.I.Appl.Phys., 1984, v.23, N 5, L 280 - L282. Абдуев А.Х. и др. Осаждение совершенных эпитаксиальных слоев оксида цинка на сапфире. Известия АН СССР, Неорганические материалы. - 1987, т. 11, с.1928 - 1930. EP, заявка, 0534473, кл.H 01L 31/0224, 1993. |
| Имя заявителя: | Атаев Бадави Магомедович | | Изобретатели: | Атаев Бадави Магомедович
Джабраилов Аслан Микаилович
Мамедов Валерий Владимирович
Рабаданов Рабадан Абдулкадырович | | Патентообладатели: | Атаев Бадави Магомедович
Джабраилов Аслан Микаилович
Мамедов Валерий Владимирович
Рабаданов Рабадан Абдулкадыро |
Реферат | |
Изобретение относится к области оптоэлектроники. Предлагаемые слои могут быть использованы в качестве прозрачных и высокопроводящих покрытий для преобразователей солнечной энергии, в системах отображения информации, а также в любых термоаккумулирующих и термоизолирующих устройствах с избирательным пропусканием и отражением излучения. Сущность изобретения: предлагается покрытие Zn0:Ga, полученное методом химических транспортных реакций в проточном реакторе пониженного давления в атмосфере водорода с непосредственным легированием в процессе роста. Слои Zn0:Ga прозрачны в области 0.4-1 мкм (T>85%), эффективно отражают в тепловой ИК-области спектра 5-50 мкм (R>80%), обладают низким удельным сопротивлением (ρ = 1.2·10-4Ом·см) и стабильностью электрических свойств к температурным воздействиям в области 20-650oC в атмосфере различных газов (аргон, водород и водородная плазма, воздух). 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента