На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ МАТРИЦ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭКРАНОВ | |
Номер публикации патента: 2069417 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L031/18 | Аналоги изобретения: | 1. Патент Великобритании N 2212661, кл. H 01 L 29/78, 1988. 2. Патент Японии N 63-224259, кл. H 01 L 29/78, 1988. |
Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" | Изобретатели: | Казуров Б.И. Сулимин А.Д. Шишко В.А. Приходько Е.Л. | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к оптоэлектронике. Сущность: на прозрачной подложке формируют затворные электроды, затворный диэлектрик и слой аморфного гидрогенизированного кремния. По рисунку структуры наносят контактный слой легированного кремния. По маске в виде островков фоторезиста формируют области контактов к слою аморфного гидрогенизированного кремния и электроды истока и стока. Затем проводят травление контактного слоя до удаления незащищенных маской поверхностей с контролем травления по оптическим характеристикам подложки с нанесенными на нее слоями. После удаления маски проводят вскрытие окон с затворным электродом, формирование электродов истока и стока и разводки. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.
|