|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРИЕМНОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР GA AS/AL GA AS |  |
Номер публикации патента: 2065644 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L031/18 | | Аналоги изобретения: | Mimura T., Hiyamizu S., Toshin K., Hikosaka K. Enhancement Mode High Electron Mobility Transistors for Logic Application. Jap. J. Appe. phys., v. 20, L.317, 1981. Levine B.F. et all. Broadband 8-12 мм high-sensitivity GaAs quantum nell infrared photodetector. Appl. Phys. Left. 54(26), 2704 - 2706, 1989. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Бадмаева И.А.
Бакланов М.Р.
Овсюк В.Н.
Свешникова Л.Л.
Торопов А.И.
Шашкин В.В. | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой технике и при изготовлении одиночных и многоэлементных фотоприемных устройств. Сущность изобретения: способ заключается в нанесении на подложку из полуизолирующего арсенида галлия последовательности слоев. Между ближайшим к подложке проводящим n+GaAs слоем и многослойной периодической структурой наносят туннельно-тонкий стоп-слой AlAs толщиной 2-5 нм. Травление ведут при температуре 20-22 град.С в растворе, дополнительно содержащем органическую кислоту. В качестве органической кислоты используют винную кислоту при следующих соотношениях компонентов (вес. проц. ): винная кислота 35-45, перекись водорода 5-10, вода остальное, или молочную кислоту при следующих соотношениях компонентов (вес.проц.): молочная кислота 25-35, перекись водорода 5-10, вода остальное. 2 з.п.ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента