|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ФОТОДЕТЕКТОР НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ |  |
Номер публикации патента: 2022411 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | H01L031/101 | | Аналоги изобретения: | 1. Богомолов П.А. и др. Приемные устройства ИК-систем. М.: Радио и связь, 1987, с.208. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский технологический институт | | Изобретатели: | Кадушкин В.И. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский технологический институт |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для создания фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs , чувствительных к ИК-излучению. Сущность изобретения: в фотодетекторе на основе полупроводниковой структуры с квантовыми ямами, включающем подложку из полуизолирующего GaAs с буферным слоем 1 - GaAs, первый контактный слой N - GaAs, систему чередующихся слоев AlxGa1-xAs и GaAs, причем в один из материалов системы чередующихся слоев введена примесь кремния до уровня легирования 2·1018 см-3, и второй контактный слой n - GaAs, примесь кремния введена в слой AlxGa1-xAs в виде моноатомного слоя, расположенного на расстоянии, не большем Дебаевской длины экранирования от одной из границ раздела чередующихся слоев. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента