|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ДЛЯ ИНФРАКРАСНОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА |  |
Номер публикации патента: 1649974 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L031/18 | | Аналоги изобретения: | Зи С. Технология СБИС. М.: Мир, 1984, кн. 1, с. 17-48. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мир, 1984, с. 10-18. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО АН СССР | | Изобретатели: | Болотов В.В.
Камаев Г.Н.
Эмексузян В. |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике, а именно к созданию фотоприемных устройств видимого и инфракрасного излучения. Цель изобретения - увеличение обнаружительной способности за счет уменьшения шумов. Кремниевый фоточувствительный элемент на основе полупроводника, легированного донорной примесью с мелкими уровнями и нанесенными омическими контактами, обрабатывают в среде, содержащей свободные ионы водорода при температуре Т=320-600 К в течение времени, достаточном для проникновения ионов водорода на весь объем полупроводника, при этом на границе раздела кремний - среда концентрации ионов водорода будет ≥4·1015 см-2. При обработке в водородсодержащей среде, при которой происходит нейтрализация компенсирующих акцепторных примесей, в частности бора, удается очистить кристалл. Тем самым понижается степень компенсации и повышается время жизни, что приводит к увеличению обнаружительной способности.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента