На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

Номер публикации патента: 1648224

Вид документа:  C  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  4623153		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотопреобразователей и решает техническую задачу, состоящую в получении планарного p-n-перехода, контактной сетки и выводе ее на тыльную сторону фотопреобразователя в едином термическом цикле. Цель изобретения - повышение качества фотопреобразователя при упрощении технологии. Формируют p-n-переход из слоя стекла, содержащего примесь легирующего элемента, который наносится на поверхность кременной подложки из раствора боросодержащей композиции. В слое стекла методом фотолитографии или лазерного скрайбирования вскрывают "окна" до поверхности кремния по форме контактного рисунка. Подложку разделяют на части в местах вывода лицевой контактной сетки на тыльную сторону фотопреобразователя, устанавливая между ними зазор от 10^-5 до 10^-4м м. Затем подложку приводят в контакт с жидким алюминием или его сплавом, насыщенным от 10 до 50 мас. % акцепторным элементом. Температура контактирования 927-1173 К время изменяется от 0,3 до 2 с. После этого подложку выдерживают при температуре диффузии 1123-1373 К в течение 6·10² - 1,8·10³ с. . Способ позволяет обеспечить низкую энергоемкость процесса и высокую производительность. 1 з. п. ф-лы, 1 ил.

Вернуться к списку