|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОДИОДОВ НА АНТИМОНИДЕ ИНДИЯ N - ТИПА ПРОВОДИМОСТИ |  |
Номер публикации патента: 1589963 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L031/18 | | Аналоги изобретения: | 1. Чистяков Ю.Д. и Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979, с.166-171. 2. Технологическая карта специализированного предприятия ОС1, 681. 108., 1985. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Астахов В.П.
Борисов С.Р.
Варганов С.В.
Демидова Л.В.
Дудкин В.Ф.
Ежов В.П.
Зигель В.В.
Колбин М.Н.
Мозжорин Ю.Д.
Пасеков В.Ф.
Просветова И.Н.
Савельева Л.В.
Таубкин И.И.
Фадеева Т.В.
Цепов С.Е.
|
Реферат | |
Изобретение относится к технологии изготовления фотоприемников на основе антимонида индия. Цель изобретения - повышение выхода годных фотодиодов, пробивных напряжений фотодиодов и их стабильности за счет формирования в анодной окисной пленке отрицательного стабильного встроенного заряда. С этой целью формирование окисной пленки на поверхности легированных р-областей антимонида индия n-типа проводят анодным окислением. Окисление проводят в электролите, содержащем 0, 1 М раствор сернистого натрия в глицерине и изопропиловый спирт в объемном соотношении 1 : 1. Анодирование ведут в гальваностатическом режиме при плотности тока 0,02-0,5 мА/см2 или потенциостатическом режиме при напряжении 12-30 В. Величина отрицательного заряда составляет (0,2-3,0) · 1011см-2. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента