Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

В данном разделе представлены Рефераты российских патентных документов.

Здесь Вы можете провести патентный анализ, а также приобрести полный комплект документов по патенту. Стоимость 1 патента — 150 руб. (НДС не облагается). Поиск информации осуществляется посредством определения соответствующих критериев поиска в форме "Поиск патентов"

Патенты, представленные в данном разделе, классифицированы с использованием классификатора МПК (Международный патентный классификатор). Подробную информацию о классификаторе смотрите здесь.

Вы можете двигаться по "дереву" классификатора, а также осуществлять поиск по классификатору, вводя условие поиска в форму "Поиск в МПК".




Капустинская Наталья - менеджер, тел. (3812) 31-17-14 E-mail: adm311714@yandex.ru


 МПК » H » H01 » H01L » H01L031/00
Поиск в МПК:   
Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (51/42 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света 27/00)[2,6,8]

Всего позиций: 56        [1-50] [51-56] 
Код и наименование раздела справочника МПК Патенты
H01L031/052 ...с охлаждающими, светоконцентрирующими или светоотражающими средствами [5][10] 
H01L031/058 ...содержащие средства для использования тепловой энергии, например гибридные системы, или добавочные источники электрической энергии [5][2] 
H01L031/06 ..характеризуемые, по меньшей мере, одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером [2][21] 
H01L031/062 ...с потенциальными барьерами только типа металл-диэлектрик-полупроводник [5][3] 
H01L031/07 ...с потенциальными барьерами только типа Шотки [5][1] 
H01L031/075 ...с потенциальными барьерами только p-i-n типа [5][1] 
H01L031/078 ...содержащие потенциальные барьеры, предусмотренные в двух или более из рубрик 31/062-31/075[5][1] 
H01L031/08 .в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы [2][13] 
H01L031/09 ..приборы, чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению (31/101 имеет преимущество)[5][9] 
H01L031/10 ..характеризуемые наличием, по меньшей мере, одного поверхностного барьера или потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, например фототранзисторы [2][10] 
H01L031/101 ...чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению [5][6] 
H01L031/102 ....характеризуемые наличием только одного потенциального или поверхностного барьера [5][1] 
H01L031/105 .....с потенциальным барьером p-i-n типа [5][1] 
H01L031/107 .....с потенциальным барьером, работающим в лавинном режиме, например лавинные фотодиоды [5][1] 
H01L031/108 .....с потенциальным барьером Шотки [5][2] 
H01L031/111 ....характеризуемые наличием трех потенциальных барьеров, например фототиристоры [5][2] 
H01L031/112 ....характеризуемые действием полевого эффекта, например плоскостные полевые фототранзисторы [5][1] 
H01L031/113 .....со структурой типа проводник-диэлектрик-полупроводник, например полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник [5][3] 
H01L031/115 ...приборы, чувствительные к волнам очень короткой длины, например рентгеновскому излучению, гамма-излучению или корпускулярному излучению [5][14] 
H01L031/119 ....характеризуемые использованием полевого эффекта, например детекторы со структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник [5][2] 
Всего позиций: 56        [1-50] [51-56] 
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"