|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ |  |
Номер публикации патента: 94039260 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 94039260 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов | | Изобретатели: | Малаховский О.Ю. Божков В.Г. Мисевичус Г.Н. Кораблева Т |
Реферат |  |
Предлагаемый полупроводниковый прибор с барьером Шоттки на фосфиде индия, отличающийся надежностью в работе, технологичностью и воспроизводимостью в изготовлении. Для изготовления прибора используется гетероэпитаксиальная структура, содержащая полупроводниковую подложку, рабочий слой InP и защитный слой InxGa1-xAs с O<х
|