На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Вернуться к списку

СВЧ - ДИОД С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 94018447

Вид документа:  A1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  94018447

Реферат

Предлагается диод с барьером Шоттки для миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн с балочными и объемными выводами и изоляцией анодного вывода от подложки воздушным каналом, сформированным в n^- и n⁺ слоях i-n^+-n полупроводниковой структуры под узкой частью анодного вывода, характеризующийся полным или частичным удалением диэлектрика на поверхности n-слоя под анодным выводом и по его периферии. Расширенная часть анодного вывода такого диода располагается не на диэлектрическом слое, а на n^+-слое полупроводниковой структуры и формируется одновременно и подобно катодному контакту и выводу. Узкая часть анодного вывода представляет собой либо воздушный мостик, соединяющий расширенную часть анодного вывода с анодным контактом, либо тот же мостик, но опирающийся на диэлектрик под ним, между ним и n^- слоем полупроводниковой структуры. В диоде такой конструкции минимизируется влияние основного источника шунтирующей емкости за счет формирования воздушного канала между анодной и катодной областями, а также устраняется полностью или частично паразитная МДП емкость по периферии выпрямляющего контакта. Такая конструкция позволяет повысить предельную частоту и отличается высокой механической прочностью.

Вернуться к списку