US 6268630 B1, 31.07.2001. RU 2312422 C2, 10.12.2007. US 5760443 A, 02.06.1998. US 5489792 A, 06.02.1996. US 5008723 A, 16.04.1991.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН) (RU)
Изобретатели:
Бабкин Сергей Иванович (RU) Волков Святослав Игоревич (RU) Глушко Андрей Александрович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем на комплементарных транзисторах со структурой метал-окисел-полупроводник (КМОП ИС), с использованием подложек кремний на изоляторе (КНИ). Технический результат изобретения заключается в уменьшении суммарной планарной площади областей исток-контакт; в уменьшении электросопротивления контакта к карману, за счет сокращения пути протекания неосновных носителей из области кармана к области силицида, а также снижения контактного сопротивления силицида к высоколегированной области контакта к карману; в повышении радиационной стойкости за счет высоколегированной области контакта к карману, которая предотвращает возникновение проводящего канала донного паразитного транзистора в этой части кармана. Сущность изобретения: в транзисторе со структурой метал-окисел-полупроводник на подложке кремний на изоляторе, включающем области мелкощелевой изоляции, область кармана ретроградного профиля распределения примеси типа 2 глубиной на всю толщину слоя кремний на изоляторе, область поликремниевого затвора, легированного ионами примеси типа 2, области, слаболегированные примесью типа 1 (LDD), спейсер, область стока, сформированную с одной стороны затвора высоколегированными ионами примеси типа 1 глубиной на всю толщину слоя кремний на изоляторе, область истока, сформированную с другой стороны затвора высоколегированными ионами примеси типа 1 глубиной на часть толщины слоя кремний на изоляторе и область контакта к карману, сформированного примесью типа 2, электрически соединенной с истоком за счет силицида, область высоколегированного контакта к карману располагается под областью истока и имеет ширину, равную ширине истока, при этом электрическое соединение силицидом областей истока и контакта к карману осуществляется в канавке, сформированной в области истока глубиной, равной или превышающей глубину области истока, и шириной, равной ширине истока. 13 ил. 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента