SU 1741190 A1, 15.06.1992. RU 2253929 C1, 10.06.2005. RU 2216070 C1, 10.11.2003. RU 2229184 C1, 20.05.2004. US 5869381 A, 09.02.1999.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (RU)
Изобретатели:
Булгаков Олег Митрофанович (RU) Петров Борис Константинович (RU) Петров Семен Александрович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и позволяет увеличить коэффициент усиления по мощности мощной высокочастотной транзисторной структуры (ТС), в соединении эмиттерных областей (ЭО) которой с конденсатором входной согласующей цепи, сформированным на поверхности той же полупроводниковой подложки, реализованы различные стабилизирующие сопротивления (СС). Для этого ширина металлизированных полосок (МП), соединяющих отдельные ЭО с нижней обкладкой конденсатора, сужается по мере увеличения требуемого СС. Относительное уменьшение ширины МП не превышает отношение данного СС к минимальному. Это позволяет уменьшить площадь находящейся под потенциалом эмиттера металлизации поверхности подложки и за счет этого уменьшить паразитную проходную емкость «коллектор-эмиттер». 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента