RU 2328058 С1, 27.06.2008. RU 2190899 С1, 10.10.2002. RU 2192692 С1, 10.11.2002. RU 2216072 C1, 10.11.2003. US 4393392 A, 12.07.1983.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (RU)
Изобретатели:
Булгаков Олег Митрофанович (RU) Петров Борис Константинович (RU) Лупандин Владислав Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и позволяет увеличить коэффициент усиления по мощности ВЧ и СВЧ транзистора, в котором на противоположных сторонах одной из обкладок конденсатора внутреннего входного согласующего LC-звена располагаются контакты проводников (КП), соединяющих обкладку с эмиттерным выводом корпуса, и КП, соединяющих ее с эмиттерными областями транзисторных ячеек (ТЯ), причем некоторые из последних КП располагаются на металлизированных полосках (МП), ограниченных краем обкладки и перпендикулярными ему выемками. Для этого длины и ширины МП выбираются таким образом, чтобы за счет пропорциональных их отношению сопротивлений МП частично или полностью реализовать соответствующие стабилизирующие сопротивления (СС) между эмиттерными областями ТЯ и обкладкой конденсатора, обеспечивающие равномерный разогрев ТЯ в рабочем режиме. Это позволяет уменьшить площадь находящихся под потенциалом эмиттера конструкционных элементов ТЯ и тем самым уменьшить паразитную проходную емкость «коллектор-эмиттер». 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента