US 4903089 А, 20.02.1990. SU 1482479 A1, 27.11.1996. RU 2045112 C1, 27.09.1995. RU 2120155 C1, 10.10.1998. US 6828580 B2, 07.12.2004.
Имя заявителя:
Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма Микран" (RU)
Изобретатели:
Семенов Анатолий Васильевич (RU) Хан Александр Владимирович (RU) Хан Владимир Александрович (RU)
Патентообладатели:
Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма Микран" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области твердотельной электроники и может использоваться при создании устройств, предназначенных для усиления, генерирования и преобразования ВЧ- и СВЧ-колебаний. Сущность изобретения: в вертикальном полевом транзисторе, содержащем вывод истока, омический контакт к истоку, исток, вертикальные проводящие каналы, затвор, выполненный в виде металлической ленты, сток, первый и второй слои диэлектрика, расположенные с верхней и нижней поверхностей металлической ленты и прилегающие к боковым поверхностям вертикальных проводящих каналов, и подложку, на нижнюю поверхность стока последовательно нанесены слой омического контакта, контактный слой пластичного металла и демпфирующий слой пластичного металла, на нижнюю поверхность неперфорированного конца металлической ленты последовательно нанесены первый технологический слой, второй технологический слой и подставка для неперфорированного конца металлической ленты, подложка выполнена из теплопроводного диэлектрического материала, на верхнюю сторону подложки нанесены первая и вторая контактные площадки, которые гальванически соединены с нижними поверхностями соответственно демпфирующего слоя и металлической подставки, и все элементы транзистора, размещенные на диэлектрической подложке, за исключением вывода истока, окружены защитным диэлектрическим заполнением. Изобретение позволяет повысить выходную мощность транзистора и увеличить надежность и долговечность его работы. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента