

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ТРАНЗИСТОР С ОГРАНИЧЕНИЕМ ТОКА И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2370855

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2008106169/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01L029/772
Аналоги изобретения:	US 4841345 А, 20.06.1989. US 5475243 А, 12.12.1995. US 4641162 А, 03.02.1987. US 7071513 B1, 04.07.2006. RU 2189089 С2, 10.09.2002.

Имя заявителя:	Открытое акционерное общество "Воронежский завод полупроводниковых приборов - сборка" (RU), Бубукин Борис Михайлович (RU), Кастрюлёв Александр Николаевич (RU), Рязанцев Борис Георгиевич (RU)
Изобретатели:	Бубукин Борис Михайлович (RU) Кастрюлёв Александр Николаевич (RU) Рязанцев Борис Георгиевич (RU)
Патентообладатели:	Открытое акционерное общество "Воронежский завод полупроводниковых приборов - сборка" (RU) Бубукин Борис Михайлович (RU) Кастрюлёв Александр Николаевич (RU) Рязанцев Борис Георгиевич (RU)

Реферат

Изобретение относится к силовым вертикальным транзисторам, содержащим МОП-структуру, изготавливаемую с применением двойной диффузии, имеющим электроды истока (эмиттера) и затвора на одной поверхности подложки, а электрод стока (коллектора) - на противоположной поверхности подложки. Сущность изобретения: в транзисторе с ограничением тока, содержащем подложку, имеющую первую и вторую противолежащие поверхности, ДМОП-транзистор, расположенный на первой поверхности подложки, чередующиеся между собой области N-типа и Р-типа проводимости, расположенные на второй поверхности подложки, ячейки ДМОП-транзистора на первой поверхности подложки имеют форму полос, чередующиеся между собой области N-типа и Р-типа проводимости имеют форму полос на второй поверхности подложки, причем полосы на второй поверхности подложки расположены перпендикулярно относительно полос на первой поверхности подложки. При изготовлении транзистора формируют области N-типа и Р-типа проводимости на второй поверхности подложки с определенным соотношеним площадей. Техническим результатом изобретения является изготовление транзистора повышенной стойкости к короткому замыканию цепи нагрузки с заданным ограничением тока, увеличение точности воспроизводимости заданного токоограничения, увеличение выхода годных транзисторов в процентном соотношении, снижение себестоимости изготовления транзисторов. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 1 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"