Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ТРАНЗИСТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2364008

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2006102886/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/06   B82B001/00    
Аналоги изобретения: ПАСЫНКОВ В.В., ЧИРКИН Л.К. Полупроводниковые приборы. Издание четвертое, переработанное и дополненное. - М.: Высшая школа, 1987, с.269-271, рис.4.53. SU 1787296 A3, 07.01.1993. SU 12223796 A1, 07.01.1990. RU 2250535 C1, 20.04.2005. US 6608349 B1, 19.08.2003. 

Имя заявителя: Цой Броня (RU) 
Изобретатели: Цой Броня (RU)
Когай Юрий Васильевич (RU)
Цой Валерьян Эдуардович (RU)
Цой Татьяна Сергеевна (RU) 
Патентообладатели: Цой Броня (RU) 

Реферат


Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для изготовления сверхмощных и высокоточных транзисторов. Сущность изобретения: в транзисторе, содержащем первое множество, включающее N1>1000000 областей с одноименной проводимостью, второе множество, включающее N2>1000000 областей с той же проводимостью, а также третье множество, включающее N3>1000000 областей с противоположной проводимостью, области выполнены с образованием первого набора отдельных однотипных точечных p-n-переходов между областями из первого и третьего множества и второго набора отдельных однотипных точечных p-n-переходов между областями из второго и третьего множества, при этом электроды, прилегающие к областям, входящим по меньшей мере в одно из указанных множеств, для которых выполнено условие Ni>1000000, где i{1, 2, 3}, параллельно соединены посредством одного проводника, т.е. объединены в один токовый узел. Техническим результатом изобретения является получение высокоточных сверхмощных транзисторов со стабильными электрическими параметрами. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 9 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"