ПАСЫНКОВ В.В., ЧИРКИН Л.К. Полупроводниковые приборы. Издание четвертое, переработанное и дополненное. - М.: Высшая школа, 1987, с.269-271, рис.4.53. SU 1787296 A3, 07.01.1993. SU 12223796 A1, 07.01.1990. RU 2250535 C1, 20.04.2005. US 6608349 B1, 19.08.2003.
Имя заявителя:
Цой Броня (RU)
Изобретатели:
Цой Броня (RU) Когай Юрий Васильевич (RU) Цой Валерьян Эдуардович (RU) Цой Татьяна Сергеевна (RU)
Патентообладатели:
Цой Броня (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для изготовления сверхмощных и высокоточных транзисторов. Сущность изобретения: в транзисторе, содержащем первое множество, включающее N1>1000000 областей с одноименной проводимостью, второе множество, включающее N2>1000000 областей с той же проводимостью, а также третье множество, включающее N3>1000000 областей с противоположной проводимостью, области выполнены с образованием первого набора отдельных однотипных точечных p-n-переходов между областями из первого и третьего множества и второго набора отдельных однотипных точечных p-n-переходов между областями из второго и третьего множества, при этом электроды, прилегающие к областям, входящим по меньшей мере в одно из указанных множеств, для которых выполнено условие Ni>1000000, где i{1, 2, 3}, параллельно соединены посредством одного проводника, т.е. объединены в один токовый узел. Техническим результатом изобретения является получение высокоточных сверхмощных транзисторов со стабильными электрическими параметрами. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 9 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента