|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2358355 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/786 | | Аналоги изобретения: | US 2003/218222 A1, 27.11.2003. WO 03/098699 A, 27.11.2003. J.R.BILLINGHAM et all, Electrical and optical properties of amorfous indium oxide. J.Phys.Condens. Matter. Vol.2, 1990, p.6207-6221. RU 2069417 C1, 20.11.1996. RU 2189665 C2, 20.09.2002. |
| Имя заявителя: | КЭНОН КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP),ТОКИО ИНСТИТЬЮТ ОФ ТЕКНОЛОДЖИ (JP) | | Изобретатели: | САНО Масафуми (JP)
НАКАГАВА Кацуми (JP)
ХОСОНО Хидео (JP)
КАМИЯ Тосио (JP)
НОМУРА Кендзи (JP) | | Патентообладатели: | КЭНОН КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP)
ТОКИО ИНСТИТЬЮТ ОФ ТЕКНОЛОДЖИ (JP) |
Реферат | |
Использование: изобретение может быть использовано в микроэлектронике. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем электрод истока, электрод стока, изолятор затвора, электрод затвора и активный слой, активный слой содержит аморфный оксид, в котором концентрация электронных носителей ниже 1018/см3 и в котором подвижность электронов увеличивается с увеличением концентрации электронных носителей.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента