|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР ДЛЯ БЕЗОПАСНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ЭЛЕМЕНТА |  |
Номер публикации патента: 2328056 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/02 | | Аналоги изобретения: | SU 1501803 A1, 15.02.1994. RU 2054755 C1, 20.02.1996. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем. - М.: Энергия, 1977. |
| Имя заявителя: | Барановский Дмитрий Моисеевич (RU) | | Изобретатели: | Барановский Дмитрий Моисеевич (RU) | | Патентообладатели: | Барановский Дмитрий Моисеевич (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к коммутационной технике и может быть использовано в устройствах автоматики и телемеханики. Изобретение позволяет получить полупроводниковые приборы для безопасных электронных элементов. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе, содержащем кристалл со структурно интегрированными пассивными и активными компонентами, полевой транзистор с обеднением канала, диод сток-подложка и высокоомный резистор интегрированы в структуру кристалла так, что обрыв электрических соедин
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента