|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2222845 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/772 | | Аналоги изобретения: | US 2002/0167023 A1, 14.11.2002. US 6064082 A, 16.05.2000. US 6486502 B1, 26.11.2002. US 6316793 B1, 13.11.2001. US 5449928 A, 12.09.1995. JP 10-294452 A, 04.11.1998. RU 2186447 C2, 27.07.2002. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование" | | Изобретатели: | Чалый В.П.
Погорельский Ю.В.
Алексеев А.Н.
Красовицкий Д.М.
Соколов И.А. | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование" |
Реферат | |
Использование: в радиотехнических, СВЧ-устройствах и т.д. Структура полевого транзистора на основе нитридов Ga и Аl последовательно включает подложку, изолирующий слой, выполненный из AlyGa1-yN, канальный слой и барьерный слой, выполненный из AlzGa1-zN. Канальный слой выполнен из AlxGa1-xN, где 0,12>х>0,03, при этом на границе канального и изолирующего слоев 1yx+0,1, на границе канального и барьерного слоев 1zx+0,1, а толщина канального слоя находится в пределах от 3 до 20 нм, причем х, у,
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента