Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР ШОТТКИ СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ

Номер публикации патента: 2183885

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2000132028/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/812    
Аналоги изобретения: ПОЖЕЛА Ю. Физика быстродействующих транзисторов. - Вильнюс: Мокслас, 1989, с.195, рис.8.6 б. ШУР М. Современные приборы на основе арсенида галлия. - М.: Мир, 1972, с.472, рис.9.6.4г. RU 2046453 С1, 20.10.1995. JP 62042463 А, 24.02.1987. US 4472872 А, 25.09.1984. 

Имя заявителя: Таганрогский государственный радиотехнический университет 
Изобретатели: Коноплев Б.Г.
Рындин Е.А. 
Патентообладатели: Таганрогский государственный радиотехнический университет 

Реферат


Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным полевым транзисторным структурам СБИС. Сущность: в полевой транзистор Шоттки со статической индукцией, содержащий полупроводниковую область стока второго типа проводимости, полупроводниковую область истока второго типа проводимости, металлический контакт стока, расположенный под полупроводниковой областью стока и соединенный с ней, металлический контакт истока, расположенный над полупроводниковой областью истока и соединенный с ней, полупроводниковую область канала второго типа проводимости, имеющую вертикальную ориентацию, два металлических затвора, введены четыре области разделительного диэлектрика, первая из которых расположена между полупроводниковой областью стока и первым металлическим затвором Шоттки, вторая - между полупроводниковой областью стока и вторым металлическим затвором Шоттки, третья - между первым металлическим затвором Шоттки и полупроводниковой областью истока, четвертая - между вторым металлическим затвором Шоттки и полупроводниковой областью истока, причем поперечное сечение полупроводниковой области канала второго типа проводимости имеет форму равнобедренной трапеции, большое основание которой граничит с полупроводниковой областью стока второго типа проводимости, а малое основание граничит с полупроводниковой областью истока второго типа проводимости, металлические затворы имеют трапециевидную форму поперечного сечения, расположены слева и справа от полупроводниковой области канала второго типа проводимости и образуют с ней боковыми сторонами переходы Шоттки, высота полупроводниковой области канала второго типа проводимости, определяющая длину канала транзистора, равна высоте металлических затворов Шоттки. Техническим результатом является сокращение занимаемой площади, повышение быстродействия и термостабильности, расширение диапазона рабочих температур и обеспечение пентодных выходных характеристик. 4 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"