|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ЗАЩИТОЙ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЙ |  |
Номер публикации патента: 2175461 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/72 | | Аналоги изобретения: | US 4990978 A, 05.02.1991. EP 0186518 A2, 02.07.1986. RU 2037237 C1, 09.06.1995. RU 2065642 C1, 20.08.1996. |
| Имя заявителя: | АООТ ОКБ "Искра" | | Изобретатели: | Новоселов А.Ю.
Гурин Н.Т.
Бакланов С.Б.
Новиков С.Г.
Гордеев А.И.
Королев А.Ф.
Обмайкин Ю.Д. | | Патентообладатели: | АООТ ОКБ "Искра" |
Реферат | |
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, в частности к мощным высоковольтным транзисторам. Интегральный транзистор с защитой от перенапряжений содержит коллекторную область первого типа проводимости, базовую область второго типа проводимости, эмиттерную область первого типа проводимости, полевой транзистор. Сток полевого транзистора соединен с базовой областью, а исток является базовым контактом. Полевой транзистор расположен в базовой области второго типа проводимости, область стока полевого транзистора совмещена с базовой областью, затвор подключен к коллекторной области либо омически, либо через обратносмещенный стабилитрон, выполненный в виде отдельного элемента или в виде обособленной области кристалла. При этом базовая область, прилегающая к затвору со стороны базового контакта и находящаяся между затвором и эмиттерной областью, может вытравливаться. В результате повышается защита транзистора от перенапряжений. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента