Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ЗАЩИТОЙ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЙ

Номер публикации патента: 2175461

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98118469/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/72    
Аналоги изобретения: US 4990978 A, 05.02.1991. EP 0186518 A2, 02.07.1986. RU 2037237 C1, 09.06.1995. RU 2065642 C1, 20.08.1996. 

Имя заявителя: АООТ ОКБ "Искра" 
Изобретатели: Новоселов А.Ю.
Гурин Н.Т.
Бакланов С.Б.
Новиков С.Г.
Гордеев А.И.
Королев А.Ф.
Обмайкин Ю.Д. 
Патентообладатели: АООТ ОКБ "Искра" 

Реферат


Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, в частности к мощным высоковольтным транзисторам. Интегральный транзистор с защитой от перенапряжений содержит коллекторную область первого типа проводимости, базовую область второго типа проводимости, эмиттерную область первого типа проводимости, полевой транзистор. Сток полевого транзистора соединен с базовой областью, а исток является базовым контактом. Полевой транзистор расположен в базовой области второго типа проводимости, область стока полевого транзистора совмещена с базовой областью, затвор подключен к коллекторной области либо омически, либо через обратносмещенный стабилитрон, выполненный в виде отдельного элемента или в виде обособленной области кристалла. При этом базовая область, прилегающая к затвору со стороны базового контакта и находящаяся между затвором и эмиттерной областью, может вытравливаться. В результате повышается защита транзистора от перенапряжений. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"