|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ДВУХЗАТВОРНАЯ МДП - СТРУКТУРА С ВЕРТИКАЛЬНЫМ КАНАЛОМ |  |
Номер публикации патента: 2106721 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/78 | | Аналоги изобретения: | 1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов.-М.: Мир, 1984, с.76-78. 2. EP, заявка 0149390, А3, кл. H 01L 29/80, 1985. |
| Имя заявителя: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина | | Изобретатели: | Ракитин В.В. | | Патентообладатели: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая микроэлектроника и наноэлектроника, для создания интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров, особенно в тех случаях, когда требуется обеспечить высокую плотность элементов. Сущность изобретения: в известной конструкции двухзатворной МДП-структуры с вертикальным каналом, содержащей подложку определенного типа проводимости со столбиком, боковая поверхность которого покрыта слоем диэлектрика, на котором размещены два затвора, и содержащей сток на вершине столбика и исток, тип проводимости верхнего слоя подложки и столбика противоположен основанию подложки, причем проводимость столбика близка к собственной проводимости полупроводника, затворы размещены на противоположных боковых частях столбика, а сток изготовлен в виде перехода металл-туннельный диэлектрик - полупроводник. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента