|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР НА ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ |  |
Номер публикации патента: 2093924 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/772 | | Аналоги изобретения: | 1. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. - М.: Мир, 1991. 2. Laster J.A. et al. High Performan ce MMIC 20 GHz and 44 GHz Power Amplifier Using Planas - Doped Iu GaAs HEMTS. International Microwave Symposium Digest. vol. 2, Boston, 1991, p. 433 - 436. |
| Имя заявителя: | Государственное научно-производственное предприятие "Исток" | | Изобретатели: | Богданов Ю.М.
Пашковский А.Б.
Тагер А.С. | | Патентообладатели: | Государственное научно-производственное предприятие "Исток" |
Реферат | |
Использование: электронная техника. Сущность изобретения: изобретение обеспечивает улучшение линейности характеристик устройств на гетероструктурных полевых транзисторах и снижение модуляционных шумов этих устройств. В полевом транзисторе на гетероструктуре часть слоя полупроводникового материала, расположенная на расстоянии от затвора, превышающем 30 нм, выполнена с концентрацией легирующей примеси большей 3·1017 см-3 и поверхностной плотностью этой примеси большей 1012 см-2, а слой полупроводникового материала между упомянутой частью и затвором выполнен со средней концентрацией примеси ≅ 3·1017 см-3. 5 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента