Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С СИММЕТРИЧНОЙ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ

Номер публикации патента: 2064716

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 93017692 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/74    
Аналоги изобретения: 1. Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерения. - М., Советское радио, 1968, с.78. 2. Технический справочник. Тиристоры. / Под ред. В.А.Лобунцова, 1971. 3. Thyristor Data book. New York 1992, р.717. 4. КУ 503А.Б.В. Технические условия АДБК. 423. 160.50 ЗТУ. 

Имя заявителя: Смолянский Владимир Авраамович 
Изобретатели: Смолянский Владимир Авраамович 
Патентообладатели: Смолянский Владимир Авраамович 

Реферат


Использование: в конструкциях полупроводниковых симметричных стабилитронов и диаков. Сущность изобретения: прибор выполнен на основе n-n+ эпитаксиальной структуры, в котором размещены две встречно параллельно соединенные ячейки, содержащие продольную р-n-р-n тиристорную структуру, коллекторный р-n переход который зашунтирован цепью последовательно соединенных диодов Зенера. Особенностью прибора является весьма широкая n-база р-n-р-n структуры, позволяющая избежать эффекта защелкивания, свойственного тиристору. При выборе суммарного напряжения пробоя цепи диодов Зенера менее граничного напряжения n-р-n составного транзистора тиристорной структуры прибор имеет вольтамперную характеристику симметричного диода Зенера. При выборе суммарного напряжения пробоя цепи диодов Зенера более граничного напряжения n-р-n составного транзистора тиристорной структуры прибор имеет вольтамперную характеристику симметричного диака. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"