|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2062531 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/73 | | Аналоги изобретения: | 1. R. Kavasaki, K.Hashimoto, H.Abe IEICE Transaction, v.E-74, N 7, 1991, с. 2004 - 2009. 2. Грехов И.В., Делимова Л.А. и др. Сверхпроводимость: физика, химия, технология. Т.3, N 8, ч.1, 1990, c. 1708 - 1711. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН | | Изобретатели: | Грехов И.В. | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН |
Реферат | |
Использование: интегральная микроэлектроника, конструкция сверхбыстродействующих транзисторов. Сущность изобретения: транзистор содержит коллектор из полупроводникового материала, базу из материала с металлической проводимостью и эмиттер, состоящий из проводящего материала и дополнительного слоя туннельнотонкого диэлектрика толщиной, отвечающей соотношению d больше или равно Ei/q εпр, где Ei - энергия ионизации материала коллектора (Дж), εпр - напряженность поля при пробое диэлектрика (В/м), q - заряд электрона (кул). Дополнительный слой туннельнотонкого диэлектрика примыкает к базе, в качестве проводящего материала эмиттера используется металл или поликремний с концентрацией примеси 1020 -1021 см-3, а в качестве туннельнотонкого диэлектрика используется оксид кремния. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента