На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
КВАНТОВО - ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ ТРАНЗИСТОР | |
Номер публикации патента: 2062530 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L029/16 | Аналоги изобретения: | 1. J. Appl. Phys. Lett., 1987, 51 (22), pp. 1807 - 1808. 2. Авторское свидетельство СССР N 1562959, кл. H 01 L 29/16, 1988. |
Имя заявителя: | Павлов Борис Сергеевич | Изобретатели: | Павлов Борис Сергеевич Мирошниченко Георгий Петрович | Патентообладатели: | Павлов Борис Сергеевич Мирошниченко Георгий Петрови |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, интегральные схемы широкого назначения. Сущность изобретения: в квантовом интерференционном транзисторе на изолирующей подложке размещены интерференционный элемент в виде отрезка квантовой проволоки, соединенного с токовводами, а также управляющий электрод в виде периодической гребенки, ориентированной вдоль отрезка проволоки и соединенной с токовводом. Выбором параметров гребенки задают параметры периодического потенциала вдоль оси интерференционного элемента, минимальное значение коэффициента пропускания, энергетическую ширину запрещенной щели в коэффициенте пропускания с центром на уровне Ферми и по ней величину рабочей температуры. При включении смещения управляющий электрод периодически модулирует потенциал в интерференционном элементе и, если периодический потенциал меньше энергии Ферми, отсчитанной от дна рабочей подзоны проводимости проводника интерференционного элемента, возникает надбарьерное отражение на каждом скачке потенциала и многолучевая интерференция отраженных волн. 4 ил.
|