Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


КВАНТОВО - ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ ТРАНЗИСТОР

Номер публикации патента: 2062530

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 5032981 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/16    
Аналоги изобретения: 1. J. Appl. Phys. Lett., 1987, 51 (22), pp. 1807 - 1808. 2. Авторское свидетельство СССР N 1562959, кл. H 01 L 29/16, 1988. 

Имя заявителя: Павлов Борис Сергеевич 
Изобретатели: Павлов Борис Сергеевич
Мирошниченко Георгий Петрович 
Патентообладатели: Павлов Борис Сергеевич
Мирошниченко Георгий Петрови 

Реферат


Использование: микроэлектроника, интегральные схемы широкого назначения. Сущность изобретения: в квантовом интерференционном транзисторе на изолирующей подложке размещены интерференционный элемент в виде отрезка квантовой проволоки, соединенного с токовводами, а также управляющий электрод в виде периодической гребенки, ориентированной вдоль отрезка проволоки и соединенной с токовводом. Выбором параметров гребенки задают параметры периодического потенциала вдоль оси интерференционного элемента, минимальное значение коэффициента пропускания, энергетическую ширину запрещенной щели в коэффициенте пропускания с центром на уровне Ферми и по ней величину рабочей температуры. При включении смещения управляющий электрод периодически модулирует потенциал в интерференционном элементе и, если периодический потенциал меньше энергии Ферми, отсчитанной от дна рабочей подзоны проводимости проводника интерференционного элемента, возникает надбарьерное отражение на каждом скачке потенциала и многолучевая интерференция отраженных волн. 4 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"