|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СТРУКТУРА НА АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ |  |
Номер публикации патента: 2025832 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | H01L029/06 | | Аналоги изобретения: | 1. Hooper W.W., Lehrer W.I. "An Epitahial GaAS field-effect transistor" Proccedings IEEE, v.55, pp.1237. 1967. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина | | Изобретатели: | Гергель В.А.
Ильичев Э.А.
Лукьянченко А.И.
Полторацкий Э.А.
Родионов А.В.
Шамхалов К.С.
Федоренко А.В. | | Патентообладатели: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина |
Реферат | |
Применение: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении ИС на арсениде галлия. Сущность: структура включает субмикронный буферный слой, расположенный между подложкой и субмикронным слоем арсенида галлия n - типа проводимости. Буферный слой выполнен в виде последовательности чередующихся слоев арсенида галлия одного типа проводимости и δ-легированного слоя противоположного типа проводимости, причем поверхностная концентрация легирующей примеси каждого d-слоя удовлетворяет соотношению, приведенному в описании. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента